Обязанности:
Отработка и проведение процессов плазменно-химического травления
диэлектрических покрытий на установке реактивно-ионного травления в
индуктивно-связанной плазме (ICP RIE) Oxford PlasmaLab 100 при создании
HEMT на основе AlGaN/GaN гетероструктур: вскрытие окон под контактную
металлизацию, мосты, а также отработка процессов травления щелей под T-образный затвор. Отработка процессов на тестовых структурах, выбор режимов травления, определение параметров процессов травления, контроль вольт-амперных характеристик транзисторов до и после процесса травления.